吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012
相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.
有机发光器件 氮化锂 n型掺杂 电子注入层 Organic Light-Emitting Device (OLED) Lithium nitride n-type doped Electron injecting layer
National Lab. of Integr. Optoelectr., Jilin University, Changchun 130023, CHN
Doped Organic LED Efficiency Electroluminescence Stability